最近清华大学物理系低维量子物理国家重点实验室博士生赵洁、纳米中心梁倞在导师范守善院士和魏洋副研究员、李群庆教授的指导下,发展了可用于原位TEM的石墨烯微加热芯片。他们将二维石墨烯材料代替传统的金属电阻加热器,大幅提升了原位加热芯片的性能。该加热芯片可在26.31 ms内加热至800 ℃,功耗仅为0.025 mW/1000 μm2。同时,在加热至650℃时,芯片因加热产生的形变仅约为50 nm,相比传统的金属加热芯片,该形变降低了约两个数量级,有效解决了在加热过程中芯片观察窗口因受热形变引发的失焦问题。石墨烯薄膜与悬空氮化硅窗口的结合不仅减小了器件整体的热容,同时也因为石墨烯表面无悬挂键,石墨烯与氮化硅之间为范德瓦尔斯接触,界面作用力较弱,改善了因热膨胀系数不匹配导致的加热变形问题。因此,得益于石墨烯的引入,该芯片升温快、功耗低且高温变形小。这项工作为石墨烯的芯片级应用和原位TEM表征技术开辟了新的发展方向。
图1 (a)石墨烯微加热芯片器件结构示意图;(b) TEM原位加热示意图;(c) 微加热芯片加热至300 ℃的红外热像
这项研究成果以 “Graphene Microheater Chips for In Situ TEM” 为题发表在国际著名学术期刊Nano Letters上。清华大学物理系魏洋副研究员和李群庆教授为该文的通讯作者,清华大学物理系博士生赵洁、纳米中心梁倞为文章的第一作者。该项工作得到科技部(2018YFA0208401, 2017YFA0205803)、国家自然科学基金(61774090, 51727805)、广东省重点领域研发计划(2020B010169001)和清华-富士康纳米科技研究中心的支持。
全文链接: https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.nanolett.2c03510